Транзистор SS8050
Корпус, цоколевка и маркировка
В нижнем торце корпуса имеются три гибких вывода. Если смотреть на переднюю часть корпуса с информацией, вывода слева направо — эмиттер, база, коллектор.
Применение
По совокупности технических параметров является среднечастотным транзистором средней мощности универсального применения. Используется в источниках питания, устройствах управления нагрузкой низкого напряжения небольшой мощности, переключающих схемах разнообразного назначения и усилителях НЧ и СЧ диапазона.
Таблица предельно допустимых значений
Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.
Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.
| Обозначение | Параметр | Величина | Ед.изм. |
|---|---|---|---|
| VCBO | Напряжение коллектор-база | 40 | V |
| VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер | 25 | V |
| VEBO | Напряжение эмиттер-база | 5 | V |
| IC | Постоянный ток коллектор | 1,5 | A |
| PD | Мощность рассеяния | 625 | W |
| RθJA | Тепловое сопротивление корпус-воздух | 200 | °С/W |
| TJ, TSTG | Температурный диапазон хранения и функционирования | -55…+150 | °С |
Электрические характеристики
Параметры действительны при температуре воздуха 25℃.
| Обозначение | Параметр | Условия измерения | Мин. | Макс. | Ед. изм. |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CBO | Пробивное напряжение коллектор-база | IC=100uA, IE=0 | 40 | V | |
| V(BR)CEO | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | IC=0.1mA, IB=0 | 25 | V | |
| V(BR)EBO | Пробивное напряжение эмиттер-база | IE=100μA, IC=0 | 5 | V | |
| ICBO | Ток отсечки коллектора | VCB=40V, IE=0 | 0,1 | μA | |
| ICEO | Ток отсечки эмиттера | VCE=20V, IE=0 | 0,1 | μA | |
| IEBO | Ток отсечки эмиттера | VEB=5V, IC=0 | 0,1 | μA | |
| hFE(1) | Коэффициент усиления по постоянному току | VCE=1V, IC=100mA | 85 | ||
| hFE(2) | VCE=1V, IC=800mA | 40 | |||
| VCE(sat) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC=800mA, IB=80mA | 0,5 | V | |
| VBE(sat | Напряжение насыщения база-эмиттер | IC=800mA, IB=80mA | 1,2 | V | |
| VBE | Напряжение база-эмиттер | VCE=1V, IC=10mA | 1 | V | |
| fT | Граничная частота | VCE=10V, IC=50mA, f=30MHz | 100 | MHz |
Модификации транзистора
По диапазону коэффициента усиления по току транзисторы подразделяются на 4 модификации. В маркировке это отражается латинской буквой. Соответствие буквенной маркировки и конкретных значений диапазонов hFE, приведены в таблице.
| типы | B | C | D | D3 |
|---|---|---|---|---|
| hFE1 | 85…160 | 120…200 | 160…300 | 300…400 |
Импортные и отечественные аналоги транзистора D209L
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| SS8050 | 25 | 1,5 | 1 | 85 | 100 |
| Отечественное производство | |||||
| КТ698В | 50 | 2 | 0,6 | 50 | 150 |
| КТ6117А | 160 | 0,6 | 0,625 | 80 | 100 |
| Импорт | |||||
| MPS8050 | 25 | 1,5 | 0,625 | 85 | 190 |
| MPS650 | 40 | 2 | 0,625 | 75 | 75 |
| MPS651 | 60 | 2 | 0,625 | 75 | 75 |
| 2SC4145 | 2 | 1,2 | 200 | ||
| 2SD1207 | 50 | 2 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1207R | 50 | 2 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1207S | 50 | 2 | 1 | 140 | 150 |
| 2SD1207T | 50 | 2 | 1 | 200 | 150 |
| 2SD1207U | 50 | 2 | 1 | 280 | 150 |
| 2SD1347 | 50 | 3 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1347R | 50 | 3 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1347S | 50 | 3 | 1 | 140 | 150 |
| 2SD1347T | 50 | 3 | 1 | 200 | 150 |
| 2SD1347U | 50 | 3 | 1 | 280 | 150 |
| 2STL1360 | 60 | 3 | 1,2 | 160 | 130 |
| 2STX1360 | 60 | 3 | 1 | 160 | 130 |
| CD1207 | 50 | 2 | 1 | 100 | 150 |
| KTC3205 | 30 | 2 | 1 | 100 | |
| KTD1347 | 50 | 3 | 1 | 100 | 150 |
| SK3849 | 50 | 1,5 | 1 | 120 | 200 |
| SM2283 | 25 | 8 | 1 | 100 | 100 |
| STC4250L | 50 | 2 | 2 | 120 | 240 |
| STSA1805 | 60 | 5 | 1,1 | 85 | 150 |
| STSA851 | 60 | 5 | 1,1 | 85 | 130 |
| STX112 | 100 | 2 | 1,2 | 1000 | |
| TSC5988CT | 60 | 5 | 1 | 120 | 130 |
Примечание: параметры аналогов в таблице взяты из даташип производителя.
Графические данные (эксплуатационные характеристики)
Рис.1. Зависимость тока коллектора (IC) от напряжения коллектор-эмиттер (VCE).
Рис.2. Зависимость коэффициента усиления (hFE) от тока коллектора (IC).
Рис.3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) от тока коллектора (IC).
Рис.4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер (VBE(sat)) от тока коллектора (IC).
Рис.5. Зависимость тока коллектора (IC) от напряжения база-эмиттер (VBE).
Рис.6. Зависимость емкости (C) от обратного напряжения (V).
Рис.7. Зависимость граничной частоты (fT) от тока коллектора (IC).
Рис.8. Зависимость мощности рассеяния (РС) от температуры воздуха (Та).
Транзистор S8050 (J3Y)
S8050 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиально-планарный малосигнальный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – ТО-92 и SMD (SOT-23).
Корпус и цоколевка
Предназначение
Транзистор разработан для применения в выходных аудио усилителях двухтактной связи класса В и аппаратуре общего назначения.
Характерные особенности
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | VCBO | 40 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | VCEO | 25 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | VEBO | 6 |
| Ток коллектора, А | IC | 1,5 |
| Рассеиваемая мощность, Вт | PC | 1 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -65…+150 |
Электрические параметры (при Ta = 25°C)
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 35 В В, IE = 0 | ≤ 0,1 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 6 В, IC = 0 | ≤ 0,1 |
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | UCBO | IC = 100 мкА, IE = 0 | ≥ 40 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | UCEO | IC = 2 мА, IB = 0 | ≥ 25 |
| Напряжение пробоя база-эмиттер, В | UEBO | IE = 100 мкА, IC = 0 | ≥ 6 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 0,8 А, IB = 0,08 А | ≤ 0,5 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 0,8 А, IB = 0,08 А | ≤ 1,2 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) | UCE = 1 В, IC = 0,005 мА | 135 |
| hFE (2) | UCE = 1 В, IC = 0,1 мА | 160 | |
| hFE (3) | UCE = 1 В, IC = 0,8 мА | 110 | |
| Частота среза, МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 0,05 мА | 190 |
| Выходная емкость, pF | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 9 |
٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона. См. таблицу.
| Классификация | B | C | D |
|---|---|---|---|
| hFE (2) | 85…160 | 120…200 | 160…300 |
Модификации и маркировка транзистора S8050
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус | Маркировка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 | — |
| GS8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 45 | TO-92 | — |
| GSTSS8050 | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85 | TO-92 | — |
| MPS8050 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 | — |
| S8050A/B/C/D/G | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8/0,5 | 150 | 100/150 | 9 | TO-92 | — | |
| S8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,5 | 150 | 150 | — | 85 | TO-92 | — |
| SPS8050 | 0,625 | 15 | 12 | 6,5 | 1,5 | 150 | 260 | 5 | 200 | TO-92 | — |
| SS8050/C/D/G | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | TO-92 | — | |
| SS8050T | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 85 | TO-92 | — |
| STS8050 | 0,625 | 30 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 120 | 19 | 85 | TO-92 | — |
| Транзисторы исполнения SMD и их маркировка | |||||||||||
| MMSS8050W-H/J/L | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 15 | Y1 | ||
| S8050W | 0,25 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | Y1 | |
| SS8050W | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 120 | Y1 | |
| GSTSS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | — | 100 | SOT-23 | 1HA |
| MMSS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | SOT-23 | Y1 | |
| MPS8050S | 0,35 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | — | 85 | SOT-23 | — |
| MPS8050SC | 0,35 | 40 | 25 | 5 | 1,2 | 150 | 150 | — | SOT-23 | — | |
| MS8050-H/L | 0,2 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | — | SOT-23 | Y11 | |
| S8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | — |
| S8050M-/B/C/D | 0,45 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | SOT-23 | HY3B/C/D | |
| SS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | KEY |
| KST8050D | 0,25 | 50 | 50 | 6 | 1,2 | 150 | 100 | — | SOT-23 | Y1C, Y1D | |
| KST8050M | 0,3 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | — | SOT-23 | Y11 | |
| KST8050X | 0,3 | 40 | 20 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 20 | SOT-23 | Y1+ | |
| KST9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | SOT-23 | J3 | |
| KST9013C | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | SOT-23 | J3Y | |
| S8050LT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 | J3Y |
| MMS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | SOT-23 | J3Y | |
| DMBT8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 100 | — | 120 | SOT-23 | J3Y |
| KST8050S | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | SOT-23 | J3Y | |
| KTD1304S | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 50 | 10 | SOT-23 | J3Y | |
| KTD1304 | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 60 | — | SOT-23 | J3Y или MAX | |
Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.
Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.
Производство российское и белорусское
| Модель | PC Ta = 25°C | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| КТ6111 А/Б/В/Г | 1 | 40 | 25 | 6 | 0,1 | 150 | 100 | 1,7 | 45…630 | TO-92 |
| КТ6114 А/Б/В | 0,45 | 50 | 45 | 5 | 0,1 | 150 | 150 | 3,5 | 60…1000 | TO-92 |
| КТ968 В | 4 | 300 | 200 | 5 | 0,1 | 150 | 90 | 2,8 | 35…220 | TO-39 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| 3DG8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| BC517S | 0,625 | 40 | 30 | 10 | 1 | 150 | 200 | — | 33000 | TO-92 |
| BTN8050A3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | 6 | 160 | TO-92 |
| BTN8050BA3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | — | 160 | TO-92 |
| CX908B/C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1 | 150 | 100 | — | 120…260 | TO-92 |
| KTC3203 | 0,625 | — | 30 | — | 0,8 | 150 | 190 | — | 100 | TO-92 |
| KTC3211 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 |
| KTS8050 | 0,625 | — | 25 | — | 0,8 | 175 | — | — | 100 | TO-92 |
| M8050-C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | — | 150 | 150 | — | 120…160 | TO-92 |
| S8050 | 0,3 | 409 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| 8050HQLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | — | — | 150 | SOT-23 |
| 8050QLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | — | — | 150 | SOT-23 |
| 8050SLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| CHT9013GP | 0,3 | 45 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| F8050HPLG | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| KTC9013SC | 0,35 | 40 | 30 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| MMBT8050D | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| MMS9013-H/L | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| NSS40201L | 0,54 | 40 | 25 | — | 4 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| NSS40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | — | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| NSV40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| PBSS4140T | 0,3 | 40 | 40 | 5 | 1 | 150 | 150 | — | 300 | SOT-23 |
| S9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| ZXTN2040F | 0,35 | — | 40 | — | 1 | — | 150 | — | 300 | SOT-23 |
| ZXTN25040DFL | 0,35 | — | 40 | — | 1,5 | — | 190 | — | 300 | SOT-23 |
| ZXTN649F | 0,5 | — | 25 | — | 3 | — | — | — | 200 | SOT-23 |
Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах (управления) базы IB.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC.
Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора IC) от входного напряжения (управления) база-эмиттер UBE.
Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер UCE = 1 В.
Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и эмиттер-база UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 10.
Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора fT при возрастании коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В.
Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) Cob от приложенного напряжения коллектор-база UCB при непроводящей коллекторной цепи IE = 0.
Частота процесса измерения составляет 1 МГц.